单晶硅片液体抛光方法

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        一种单晶硅片液体抛光方法，包括改性金刚石磨料的制备和磨削液的制备；

        抛光方法是，将干燥后的硅片平置吸附在真空吸盘上，调节吸盘高度，使吸盘上硅片距离涡轮顶端的距离为３－４厘米，使硅片处于磨削液液面以下２－３厘米；开启涡轮电机和吸盘电机，进行液体抛光，磨削加工１小时后，卸掉吸盘中的真空取下硅片，将单晶硅片清洗干燥后真空封装，完成单晶硅片抛光加工。该方法利用高速运动的磨削液中的金刚石磨料对单晶硅片进行磨削抛光。单晶硅片的表面仅存在细小的磨料划痕，单晶硅片应力层厚度可控制在５ｎｍ以下。

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