一种单晶硅抛光液方法

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一种液体抛光单晶硅片（）的方法，其特征在于：

该方法包括如下步骤：

1. （1）将粒径为5μm?15μm的金刚石磨料浸泡于无水乙醇溶液中，通过超声波清洗该金刚石磨料1.0?h??1.5?h；
2. （2）将清洗后的金刚石磨料滤出，并置于70℃?90℃的烘箱中干燥2?h??2.2?h；
3. （3）将干燥后的金刚石磨料浸渍于KH550硅烷偶联剂与无水乙醇的体积比为1：4.5?1:5.5的混合液中，密闭加热至55℃?65℃，保温1.0?h??1.5?h；
4. （4）使用滤纸滤出金刚石磨料，置于140℃?160℃的烘箱中干燥2?h??2.2?h；
5. （5）将金刚石磨料与固相含量为4.5%?5.5%的硅溶胶按质量比为1:98?1:100的比例混合，在转速为100r/min?110r/min的条件下，搅拌混合1.0?h??1.5h，获得磨削液；
6. （6）将干燥后的单晶硅片水平置于磨削液内，单晶硅片的上方和下方设有涡轮，调节单晶硅片的高度及磨削液量，使单晶硅片的上表面与位于其上方的涡轮底部距离为3cm?3.5cm，单晶硅片的下表面与位于其下方的涡轮顶部距离也为3cm?3.5cm，且单晶硅片的上表面与磨削液的液面距离为2.5cm?3cm；
7. （7）同时启动两个涡轮电机，设定其工作时间为1h?1.5h，转速为20000r/min?22000r/min，两个涡轮的旋转方向相同；
8. （8）取出单晶硅片，置于无水乙醇中，使用超声波清洗1h?1.5h；
9. （9）将单晶硅片置于室温下干燥5h?8h，完成抛光。

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