单晶硅抛光

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1. 1、的试剂组合物，用于抛光基片的二氧化硅颗粒的尺寸范围为约5至约200毫微米，一种可溶性的碱金属碱和氧化剂选自组成的组中的有dihaloisocyanuric酸，其特征在于，钠和钾的盐组成的含水混合物之比所述基座到所述氧化剂是在约5时01分至约3.2:1的范围内，并与硅粒子的比率在约8.5:1至约55.6:1。
2. 2、 的范围内对于所述基座 。根据权利要求1的组合物，其特征在于，所述的碱是碱金属碳酸盐。
3. 3、根据权利要求2的组合物，其特征在于，所述碳酸酯是其钠盐，所述氧化剂选自钾和钠的二氯异氰脲酸的盐组成的组
4. 4、根据权利要求3所述的组合物，其特征在于，所述碳酸酯，所述氧化剂是在0.5:1至3.2:1的范围内。
5. 5 、的比率 。根据权利要求1的组合物，其特征在于，所述颗粒选自硅溶胶和硅胶组成的组中的
6. 6、根据权利要求2的组合物，其特征在于，所述颗粒选自硅溶胶和硅胶组成的组中的
7. 7、用于抛光的方法，该方法包括施加的表面上的晶体硅如权利要求1所述的抛光组合物，所述硅和抛光与其所述硅
8. 8、抛光结晶硅的方法，该方法包括将表面如权利要求2所述的抛光组合物，所述硅和抛光与其所述硅
9. 9、根据权利要求3所述的抛光组合物，所述硅的方法，该方法包括将表面抛光晶体硅，所述硅和抛光与其
10. 10、用于抛光的方法，该方法包括施加的表面上的晶体硅如权利要求4所述的研磨组合物，所述硅和抛光与其所述硅
11. 11、根据权利要求6所述的研磨组合物，所述硅进行抛光的方法，该方法包括施加的表面上的晶体硅，抛光所述与其硅
12. 12、抛光结晶硅的方法，该方法包括将表面如权利要求7所述的抛光组合物，所述硅和抛光与其所述硅

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